台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破：直奔1nm
时间 • 2025-07-25 21:16:59
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台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破：直奔1nm
在ISSCC2021国际固态电路会议上，台积电联席CEO刘德音公布了该公司的最新工艺进展情况，指出3nm工艺超过预期，进度将会提前。
不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的，按照他们公布的信息，3nm工艺是今年下半年试产，2022年正式量产。
与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代3nm工艺比较保守，依然使用FinFET晶体管。
与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不论是5nm还是3nm工艺，甚至未来的2nm工艺，台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是EUV光刻的难题，而且能耗也很高。
刘德音提到，台积电已经EUV光源技术获得突破，功率可达350W，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。